玩单片机的都（dōu）可（kě）能遇到过因外部干扰或因软件BUG导致死机，这对于有功率负载的电（diàn）路是极为不利（lì）的。 现在MCU都有了WDT看门狗，当（dāng）计数（shù）溢（yì）出就强制进（jìn）行复位。 但如果单片机因某种（zhǒng）原因(如静（jìng）电、浪涌等击穿（chuān）)直接导致损坏，使其输入输（shū）出状（zhuàng）态无法控制，且无（wú）法（fǎ）预料时（shí），可能会造成不良后果甚至人身安（ān）全。 如电（diàn）机控制、逆变（biàn）器等，当异常发（fā）生MCU输（shū）出端（duān）一直输出固定电平(这（zhè）里假设高电平驱动)会导致线圈（quān）进入饱和，产生大（dà）电流（liú）发热烧毁线圈甚至是起火引发一系（xì）列不可预料后果。 那如何去有（yǒu）效（xiào）避（bì）免这（zhè）类（lèi）问题的发生呢?

任一MOS持续导通都会导线圈饱（bǎo）和发热

首先，最大的（de）问题是（shì）单片机失效（xiào）后，IO端（duān）口（kǒu）状态无（wú）法预（yù）料，只能切断负载供电，所以只要能检测到MCU是否正常（cháng）工作，然后（hòu）去（qù）控制负载（zǎi）供电（diàn）开关就可以避（bì）免上述问题了。 顺着这个（gè）思路，我们可以让单片机一（yī）个IO口一直输出50%占空（kōng）比PWM信号，用一个电容进行隔离，当（dāng）正（zhèng）常（cháng）工作时PWM信（xìn）号（hào）可（kě）以（yǐ）通过电容，经（jīng）过（guò）整流滤波（bō）驱（qū）动MOS管导（dǎo）通，当死机后就没有PWM信号（hào）输出了，此（cǐ）时不管IO口是持（chí）续的高还（hái）是（shì）低电平（píng），经过电（diàn）容后级都没有电（diàn）压了，此（cǐ）时MOS管截（jié）止（zhǐ）负载供电被关断，这样就有效保（bǎo）护了（le）负载。

负载保护电（diàn）路图

最后结合上图（tú）重新梳（shū）理一遍（biàn）保护过（guò）程。 当单片机正常运行时IO1持续输（shū）出PWM信号，整流滤波后推（tuī）动后级MOS管导通，提供（gòng）负载供电; 当（dāng）单片机（jī）死机或失（shī）效（xiào）后，就没（méi）有（yǒu）PWM信号输出，无论输出是持续的高（gāo）或低电平，都没有整流（liú）电（diàn）压推（tuī）动后级MOS开关管，此时MOS管截止，负（fù）载（zǎi）断电!

本（běn）电路重点（diǎn）运用（yòng）了电（diàn）容的隔直流特性，既（jì）能让（ràng）连续变（biàn）化的PWM耦合通过，又可以阻止直流电压通过，从而（ér）有效检（jiǎn）测MCU是否异常，同时控制负（fù）载供（gòng）电开关（guān）。