1、IGBT的概念

IGBT，绝缘栅双极（jí）型（xíng）晶体管（guǎn），是由（yóu）(BJT)双极型三（sān）极管和绝缘栅型场效应管（guǎn）(MOS)组成的（de）复合（hé）全控半（bàn）导体器件, 兼有(MOSFET)金氧（yǎng）半场效晶体管的高输入阻抗（kàng）和（hé）电力晶体管(GTR)的（de）低（dī）导通压（yā）降两方面的优（yōu）点。
2、IGBT的结构

下图为一个N沟道增（zēng）强（qiáng）型绝缘栅（shān）双极晶（jīng）体（tǐ）管结构， N+区称为源区，附于其上的电极（jí）称（chēng）为（wéi）源极(即发射（shè）极E)。N基极称为漏区（qū）。器（qì）件的控制区（qū）为（wéi）栅（shān）区，附于其上（shàng）的电极称为栅极(即门（mén）极G)。沟道（dào）在紧靠（kào）栅区边（biān）界（jiè）形成。在C、E两极（jí）之间的（de）P型区(包括P+和P-区（qū）)(沟道（dào）在该区（qū）域形成)，称为亚沟道区(Subchannel region)。而在（zài）漏区另（lìng）一侧的P+区称为漏（lòu）注入区（qū）(Drain injector)，它是IGBT特有的功能（néng）区（qū），与漏区和亚沟（gōu）道区一起形成PNP双极晶体（tǐ）管，起发射极（jí）的作用，向漏极注入空穴，进行导（dǎo）电调制（zhì），以降低（dī）器件的通态（tài）电（diàn）压。附于漏注（zhù）入区上的（de）电极称（chēng）为漏极(即集电（diàn）极C)。

3、IGBT工作（zuò）原（yuán）理

IGBT有N沟道型（xíng）和P沟道型两种，主流的（de）N沟（gōu）道IGBT的电路（lù）图符号及其等效电路如下：

所以整个过（guò）程就很简单：

当（dāng）栅极G为高电平（píng）时，NMOS导通（tōng），所以PNP的CE也导（dǎo）通，电流从CE流过。

当（dāng）栅极G为低电（diàn）平时，NMOS截止，所以PNP的CE截止，没（méi）有（yǒu）电（diàn）流流过（guò）。

4、IGBT的优点

IGBT晶体管具有更高（gāo）的（de）电压和（hé）电流处理能力；极高的输入阻抗；可以使用（yòng）非常（cháng）低的电压切换非（fēi）常高的电流；电（diàn）压控制装置，即它没（méi）有（yǒu）输（shū）入电流和低输入损耗；具有非常低的导通电阻（zǔ）；具有高电流密（mì）度，使其能够（gòu）具有更小的芯片（piàn）尺（chǐ）寸；可以使（shǐ）用低（dī）控制电压切换高电（diàn）流电平。