经常遇到有（yǒu）人把晶振的负（fù）载电容与外接电容混淆，甚至还有人误以为这是指（zhǐ）同样的参数。这里需要（yào）特别指出的是：若你这样想，就大（dà）错特错了。

下（xià）面就为您进（jìn）行分析与区分：

负载（zǎi）电容指的是晶振的一个内部重要电气（qì）参（cān）数。

一般情（qíng）况下（xià），对功耗不太敏（mǐn）感的电子设备上，常见的晶振负（fù）载电容为 15PF、18PF、20PF。

那么，诸如腕表、手机、蓝牙耳机等对低功（gōng）耗明显有较高需求的电子（zǐ）产品上常采用的为负载电容（róng）较（jiào）小的晶（jīng）振，比如（rú）6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

晶振的负载电容在生（shēng）产环节已经根（gēn）据需求通过加工工（gōng）艺（yì）锁定（dìng），在应用中无法更改。

晶振的外接电容是指在PCBA板上分别与晶振频率输入脚与输（shū）出脚串联的电子元件。外接电容（róng）值的大小由（yóu）晶振负（fù）载电容与电路板杂散电容(包括IC电容在内)所决定，通常为这两（liǎng）者之和。

在振荡电路应用（yòng）中，晶振负载（zǎi）电容、杂散电容与（yǔ）外接电（diàn）容之间的关系示意图如下：

注：

1、 CL: 石英（yīng）晶（jīng）体（tǐ）谐振器的负载电容。

2、CS: 指杂散（sàn）电容，包括IC内部的杂散容值、电路板布线间（jiān）的电容量、PCB板各层之间的寄生（shēng）电容等。

3、C1 和 C2:分（fèn）别指石（shí）英晶体（tǐ）谐振器在电路应（yīng）用中的两颗外接电容。

外（wài）接电（diàn）容的应用目的有两个：

针（zhēn）对晶振频率进行微调，使其尽量靠近目标频率。规则：外接电容越大，晶振输出频率越偏负向。反之，外（wài）接电容越小（xiǎo），晶振输出频率则趋于正向变化。

外接电容（róng）可以（yǐ）起到对振荡电路的稳定作（zuò）用。这也是为何建议在晶振频率输入脚（jiǎo）与输出脚分别加一颗同值电容的（de）原因（yīn）。

最后需要（yào）提醒两点：

1、外接电容所起到的作（zuò）用仅仅（jǐn）是对晶振（zhèn）频率进行微（wēi）调。若（ruò）晶（jīng）振工作时频偏过大，就需要考虑晶振本身精度的（de）原因（yīn），比如（rú）晶振精度是否不能满足芯片要求而（ér）更（gèng）改为（wéi）精度（dù）更（gèng）高的晶振。

2、外接电容仅用于（yú）无源晶振的应用（yòng）。在有源晶振的电（diàn）路应用中（zhōng），无需外（wài）接电容。