快恢复（fù）二极管是指（zhǐ）反（fǎn）向恢（huī）复时（shí）间很短的（de）二极管（5us以下），工艺上多（duō）采用掺金措施，结构上有采用PN结（jié）型结（jié）构，有（yǒu）的采（cǎi）用改（gǎi）进的PIN结构（gòu）。其正向压（yā）降高于普通二极管（1-2V），反向（xiàng）耐压多在（zài）1200V以（yǐ）下。从性能上可（kě）分为快恢（huī）复（fù）和（hé）超快恢复两个等级（jí）。前者反向恢复时间为数百（bǎi）纳秒或更（gèng）长（zhǎng），后者则在100纳秒以（yǐ）下（xià）。

　　 肖特基二极管是以（yǐ）金属和半导体（tǐ）接（jiē）触形成的势垒为基础（chǔ）的二极管，简称肖（xiāo）特基二极（jí）管（guǎn）(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而（ér）且反向（xiàng）漏电流较大，耐压（yā）低，一（yī）般低于150V，多用于低电（diàn）压场合。

　　 这两（liǎng）种管子（zǐ）通常用于开（kāi）关电源（yuán）。

　　 肖特基二极管（guǎn）和快恢复二（èr）极管区别：前者的（de）恢复时间比（bǐ）后者小一（yī）百倍左右，前者的（de）反向恢复时间大约为几纳秒~！

　　 前者的优点还有低功耗，大（dà）电流，超高（gāo）速~！电气特性当然都是二极管阿（ā）~！

　　 快恢复二极管在制造（zào）工艺上采用（yòng）掺金（jīn）,单纯的扩（kuò）散等工艺（yì）,可获得（dé）较高（gāo）的开关速度,同（tóng）时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用（yòng）在逆变电（diàn）源中（zhōng）做整流元件.

　　 肖特基二（èr）极管：反向耐压（yā）值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时（shí）间（jiān）。它是具有肖特基特性的“金（jīn）属半导体结”的二极管。其正向起始电（diàn）压较低。其（qí）金属（shǔ）层除材（cái）料外（wài），还可以采用（yòng）金、钼、镍、钛等材料。其半导体（tǐ）材料采用（yòng）硅或砷（shēn）化镓（jiā），多为（wéi）N型（xíng）半导体。这种器件是（shì）由多数载流（liú）子导电（diàn）的，所（suǒ）以，其反（fǎn）向饱和电流较（jiào）以少数（shù）载（zǎi）流子导（dǎo）电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少（shǎo）数（shù）载流子的存贮效应甚微，所以其频（pín）率（lǜ）响（xiǎng）仅为RC时间常数限（xiàn）制（zhì），因而，它是高频和快速开关的（de）理想器件。其工作频率可达100GHz。并且（qiě），MIS（金属－绝缘（yuán）体－半导体）肖特基二极管可以（yǐ）用来制作太阳能（néng）电池或发光二极管。

　　 快（kuài）恢复二极管：有0.8-1.1V的（de）正向导通压降（jiàng），35-85nS的反向恢复时间，在导通（tōng）和截（jié）止（zhǐ）之间迅速转换，提高（gāo）了器件的（de）使用频（pín）率并改善了波（bō）形。快恢复二极管在（zài）制造（zào）工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高（gāo）的开关速度（dù）,同时（shí）也能（néng）得到（dào）较高的耐压.目前（qián）快恢复二极管（guǎn）主要应用在逆变（biàn）电（diàn）源中做整（zhěng）流（liú）元件（jiàn）.

　　 通常，5~20A的快恢复（fù）二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以（yǐ）上的大功率快（kuài）恢复二（èr）极管采用顶部（bù）带金（jīn）属散（sàn）热片的TO-3P塑（sù）料封装（zhuāng），5A一下的快恢复二极（jí）管则采（cǎi）用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。