一、中国（guó）半导体器件（jiàn）型号命名方法
半导体器（qì）件型号由五（wǔ）部分（场效应（yīng）器件、半（bàn）导体特殊器件（jiàn）、复合（hé）管、PIN型管、激光器件的型（xíng）号命（mìng）名只有第三、四、五部分（fèn））组成。

五个部分意义如下：

第一（yī）部分：用数字表示（shì）半导体器（qì）件有效电极（jí）数目（mù）。2-二极（jí）管、3-三极管
第二部（bù）分：用汉语（yǔ）拼音字母表示（shì）半导（dǎo）体器件的材料和极性。

1、表（biǎo）示二（èr）极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材（cái）料。

2、表示（shì）三极管时：A-PNP型锗材（cái）料、B-NPN型锗材（cái）料、C-PNP型（xíng）硅材料（liào）、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导（dǎo）体器（qì）件（jiàn）的（de）内（nèi）型。

P-普通（tōng）管、

V-微波管、W-稳（wěn）压（yā）管、C-参量管、

Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼管、U-光电器件、K-开关（guān）管、

X-低频小功（gōng）率管（guǎn）(F<3MHz,Pc<1W)、

G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、

D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、

A-高频大功率管（guǎn）（f>3MHz,Pc>1W)、

T-半导体晶闸管（guǎn）（可控整流（liú）器（qì））、

Y-体效应器件、B-雪崩管（guǎn）、J-阶跃恢复管、

CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、

PIN-PIN型管、JG-激光器件。

二、日本（běn）半导体分立器件型号命名（míng）方法
    日本生产的（de）半导（dǎo）体分立（lì）器件，由五至七部（bù）分组成。通常只用到前（qián）五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部（bù）分：用数字表示（shì）器件有效电极数目或类（lèi）型。

0-光（guāng）电（即光敏）二极（jí）管三（sān）极管及（jí）上述器件（jiàn）的组合管（guǎn）、

1-二极管、

2三（sān）极（jí）或具（jù）有两个（gè）pn结的其他器件、

3-具有四个有效电极或具有三个pn结的（de）其他器件、┄┄依此类推。
第（dì）二部（bù）分：日本电子工（gōng）业协会JEIA注册标志。

S-表（biǎo）示已在日（rì）本电子（zǐ）工业协会JEIA注册（cè）登记的半导（dǎo）体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使（shǐ）用材料极性和（hé）类型（xíng）。

A-PNP型（xíng）高频管、

B-PNP型低频管、

C-NPN型高（gāo）频管、

D-NPN型低频管、

F-P控制极（jí）可控硅、

G-N控（kòng）制极（jí）可控硅、

H-N基极单结晶体管、

J-P沟（gōu）道（dào）场效应管、

K-N 沟道场效应管、

M-双向可控硅。
第四部分：用（yòng）数字表示在日本电子工业协（xié）会JEIA登（dēng）记的顺（shùn）序号。两（liǎng）位以上的整数-从“11”开始，表示（shì）在日本电子工业协会JEIA登记（jì）的顺（shùn）序号（hào）；不同公司的性能相同的器件（jiàn）可以使（shǐ）用同一顺（shùn）序号；数字越大，越（yuè）是近期产品。
第（dì）五部分：用字母（mǔ）表（biǎo）示同一型号的改进型产品标（biāo）志。A、B、C、D、E、F表示这一器件（jiàn）是原（yuán）型号产品的改进产（chǎn）品。

三、美国半导体分立器（qì）件（jiàn）型号（hào）命名方法
    美国晶体管或其他半导体器（qì）件的命名法（fǎ）较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命（mìng）名方（fāng）法如下：
第一（yī）部分：用符号表示器件用途的类型。

JAN-军级（jí）、JANTX-特军级、JANTXV-超特（tè）军级、JANS-宇（yǔ）航（háng）级、（无（wú））-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极（jí）管、2=三（sān）极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工（gōng）业协（xié）会（EIA）注册标志（zhì）。N-该器件已（yǐ）在美（měi）国（guó）电子（zǐ）工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国（guó）电子工业协会登记（jì）顺序号（hào）。多位数（shù）字-该器件在美国电（diàn）子工业协（xié）会登记的顺序号。
第五部分：用字母表（biǎo）示器件分（fèn）档。A、B、C、D、┄┄-同一（yī）型（xíng）号器件的不同档别。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率（lǜ）开（kāi）关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档（dàng）。

四、国（guó）际电（diàn）子（zǐ）联合会半导体器（qì）件型号命名方法
    德国、法（fǎ）国（guó）、意大利、荷（hé）兰、比利时等欧洲国家以及（jí）匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧（ōu）国家，大都采用国际电子联合会（huì）半导体分立器件型（xíng）号（hào）命名方法（fǎ）。这（zhè）种命名方法由四个基本部（bù）分组成，各部（bù）分的符号及意义如下：
第（dì）一部分：用字母表示器件使用的（de）材料。

A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用（yòng）材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料（liào）的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器（qì）件（jiàn）使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟（yīn）、E-器件（jiàn）使用复合材料及光电池使用（yòng）的材（cái）料（liào）
第二部分：用字母（mǔ）表（biǎo）示器件的类型及主要特征。

A-检（jiǎn）波开关混频二极管（guǎn）、B-变容（róng）二（èr）极管、C-低频小功率三极管、

D-低频大功率三极管（guǎn）、E-隧道二极管（guǎn）、F-高频小功（gōng）率三极管（guǎn）、

G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的（de）霍尔元（yuán）件、

L-高频大（dà）功（gōng）率三极管（guǎn）、M-封闭磁路中（zhōng）的（de）霍尔元件、

P-光敏器件、Q-发光（guāng）器件、R-小功率晶闸管、S-小功（gōng）率开（kāi）关（guān）管（guǎn）、

T-大功（gōng）率晶（jīng）闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、

Y-整流二极管、Z-稳（wěn）压（yā）二极管。
第三部分：用数（shù）字（zì）或字（zì）母加数（shù）字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器（qì）件的（de）登（dēng）记序号、一个字母加二位（wèi）数字-表示专（zhuān）用（yòng）半导体器件的登记序号。
第（dì）四部分：用字（zì）母对（duì）同一类型（xíng）号（hào）器件进行（háng）分档。A、B、C、D、E┄┄-表示（shì）同一型号的器件（jiàn）按某一参（cān）数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以（yǐ）区别特性或进一步（bù）分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀（zhuì）。其后缀的第一部分是一个字（zì）母，表示稳定电压值（zhí）的容许误差范围（wéi），字母A、B、C、D、E分别表（biǎo）示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第（dì）二部分是数字，表示（shì）标称稳定电压的整数数值；后缀的第三（sān）部分是字母V，代（dài）表小数点，字母V之后的数字为稳压（yā）管标称稳定电压的小（xiǎo）数值。
2、整（zhěng）流二极管后缀是数字，表示器（qì）件的最大反向峰（fēng）值耐压值，单位（wèi）是伏特。
3、晶闸管型号的后（hòu）缀也是数字，通常标出最大反向（xiàng）峰值（zhí）耐压值和最（zuì）大反（fǎn）向关断电压中数值（zhí）较小的（de）那（nà）个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大（dà）功率（lǜ）三极（jí）管，AF239S-表示PNP锗高（gāo）频（pín）小功率三极管。

五（wǔ）、欧（ōu）洲早期（qī）半（bàn）导体分立器（qì）件型（xíng）号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方（fāng）法（fǎ）：
第一部分：O-表示半导（dǎo）体器件
第二部分：A-二极管、C-三极（jí）管、AP-光电二（èr）极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表（biǎo）示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯（sī）半导体（tǐ）器件型（xíng）号命（mìng）名法由（yóu）于使用（yòng）少，在此（cǐ）不介绍。