在（zài）了解5V单片机驱动mos管电路之前，先了解一下单片机驱（qū）动mos管电路图及原理，单片机驱（qū）动mos管电路主要（yào）根据MOS管要（yào）驱动（dòng）什（shí）么东西，要只（zhī）是（shì）一（yī）个继电器之类（lèi）的小（xiǎo）负载的话直接用51的引脚驱动就（jiù）可（kě）以，要注意电感类负载要加保（bǎo）护（hù）二极管和吸收（shōu）缓（huǎn）冲，最好用N沟道的MOS。

如（rú）果（guǒ）驱动的东西(功率)很大，(大电流、大电（diàn）压（yā）的场合)，最好要做电气隔离、过流超压（yā）保护、温度保护等（děng）……此时既（jì）要（yào）隔离传送控制信号(例如PWM信（xìn）号)，也要给驱动级(MOS管的推动电路（lù）)传送（sòng）电能。常用的信号传（chuán）送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的传（chuán）送可以用DC-DC模块。如（rú）果是做产品的话建议自（zì）己（jǐ）搞一个建议的DC-DC，这样可以（yǐ）降低成本。然后MOS管有一（yī）种简单的（de）驱动方（fāng）式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用于MOS开（kāi）启驱（qū）动，一个用于MOS快速（sù）关断（duàn）。
图（tú）一：适合（hé）开关频（pín）率（lǜ）不（bú）高的场合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大（dà）小由V+决定，V+越高，R2、R3越大，以（yǐ）保证电（diàn）阻及三极管功耗在允许范围，同时保证（zhèng）R2和R3的分压（yā）VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于（yú）40V。

补充：图二：适合高频大功率场合，到达（dá）100KHz没问（wèn）题，同时（shí）可（kě）以并（bìng）联多个MOSFET-P管

R2、R3需要满足（zú）和图一一样的条件，其实就（jiù）是图一加了级推挽，这样就（jiù）可以保证（zhèng）MOSFET管高速（sù）开（kāi）关，上面6P小电容（róng）是（shì）发射结结电（diàn）容补（bǔ）偿电容（róng），可以改（gǎi）善三极管高速（sù）开关（guān）特性。

另（lìng）外：MOSFET的栅极电容较大，在使用的时（shí）候应该把（bǎ）它（tā）当成一个容抗负载来看（kàn）。

MOS管驱（qū）动电路

在使用（yòng）MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的（de）时候，大（dà）部分人都会考虑MOS的导通电阻，最（zuì）大电压（yā）等，最大电流等（děng），也有很多人仅仅考虑这些（xiē）因素。这样的电路也许（xǔ）是可以工作的，但（dàn）并（bìng）不是优秀的（de），作为正式（shì）的产品（pǐn）设计也是（shì）不允（yǔn）许的。

MOS管导通特性

导通的意思是作为（wéi）开（kāi）关，相当于开（kāi）关闭合。

NMOS的（de）特性：Vgs大于一（yī）定的值就会导通（tōng），适合（hé）用于源极接地时（shí）的情况（kuàng）(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了（le）。PMOS的特性（xìng）：Vgs小于一定的值就（jiù）会导通（tōng），适合（hé）用于源（yuán）极接VCC时的情（qíng）况(高端驱动)。但是，虽然（rán）PMOS可以很方便地用作（zuò）高（gāo）端驱动，但由（yóu）于导通电阻大，价（jià）格贵，替换种类（lèi）少等（děng）原因，在高端驱动中，通（tōng）常还是（shì）使用NMOS。

MOS开（kāi）关管（guǎn）损失（shī）

MOS管驱动（dòng）电路不管是（shì）NMOS还是PMOS，导（dǎo）通后都有导（dǎo）通电阻存在（zài），这样电（diàn）流就会在这个电（diàn）阻（zǔ）上消（xiāo）耗（hào）能量，这（zhè）部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电（diàn）阻小的MOS管会减小导通损（sǔn）耗（hào）。现（xiàn）在的小功率（lǜ）MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截（jié）止的时候，一（yī）定不是在（zài）瞬间完成的。MOS两（liǎng）端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的（de）过程，在这段时（shí）间内，MOS管的（de）损失是电压和（hé）电（diàn）流的乘（chéng）积，叫做开关损失（shī）。通常开关损失比（bǐ）导通损失大得多（duō），而且（qiě）开（kāi）关频率越快，损失也越（yuè）大（dà）。

导通瞬间电压和电流（liú）的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以（yǐ）减小每次导通时的损失;降低开关频率（lǜ），可以减（jiǎn）小单位时间内的开关次数。这两（liǎng）种（zhǒng）办法都可以减小（xiǎo）开关损失。

MOS管驱动

跟（gēn）双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通（tōng）不需要电流，只（zhī）要GS电压高（gāo）于一（yī）定的值，就（jiù）可以了。这个很容易做到，但是，我们还（hái）需（xū）要速度。在MOS管（guǎn）的结构（gòu）中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上（shàng）就是对电容的充（chōng）放电。对电容的（de）充（chōng）电需要一个电流，因为对电（diàn）容充电瞬间可以把电容（róng）看成短路，所以瞬间电（diàn）流会比（bǐ）较大。选择/设计（jì）MOS管驱动（dòng）时第一（yī）要注意的是可提供瞬（shùn）间（jiān）短路电流的（de）大小（xiǎo）。

MOS管驱（qū）动电路第（dì）二注（zhù）意的是，普遍用于高端驱（qū）动的NMOS，导通时需要是（shì）栅极电压大于源极电压。而高（gāo）端（duān）驱（qū）动的（de）MOS管导通时源极电压（yā）与（yǔ）漏极电（diàn）压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果（guǒ）在同一个系统里，要（yào）得到（dào）比VCC大的电压，就要（yào）专（zhuān）门的（de）升压电路（lù）了。很多马达（dá）驱动器都集成了（le）电（diàn）荷泵，要注意（yì）的是应该 选择合（hé）适的外（wài）接电容（róng），以得到（dào）足够的短路电流去驱动MOS管。

上（shàng）边说的4V或10V是常用的（de）MOS管的导通电压，设计时当然（rán）需要有一定的余量。而且（qiě）电压（yā）越高，导通速（sù）度越快，导通电阻（zǔ）也越小。现（xiàn）在也有导通电压（yā）更（gèng）小的MOS管用在不（bú）同的领域（yù）里，但在（zài）12V汽车电子系统里，一般4V导通（tōng）就够用了。MOS管的驱（qū）动电路及（jí）其损失，可以（yǐ）参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详细，所以不打算多写（xiě）了（le）。

MOS管应（yīng）用电路

MOS管最显著（zhe）的特性是开关（guān）特性好，所以被广（guǎng）泛应用在需要（yào）电（diàn）子开关的电路中，常见的如开关电源（yuán）和马达驱动，也有照明调（diào）光。

二、现在的MOS驱动，有几个特别的应用：

1、低压（yā）应用当使用（yòng）5V电源，由于三极管的be有0.7V左右的（de）压降，导致实际最终加（jiā）在gate上的电压只有（yǒu）4.3V。这时候（hòu），我们选用标称gate电压（yā）4.5V的MOS管（guǎn）就存在一（yī）定的风险。同样的问题（tí）也（yě）发（fā）生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其（qí）他因（yīn）素而（ér）变（biàn）动。这个变动导致PWM电（diàn）路提供给（gěi）MOS管的驱动电压（yā）是不稳定的。为了让（ràng）MOS管在（zài）高gate电压下安（ān）全，很多MOS管内置了稳压管（guǎn）强行限制（zhì）gate电压的（de）幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的（de）电压，就会引起较大（dà）的（de）静态（tài）功耗。同（tóng）时（shí），如果（guǒ）简单的用电阻分压的原理降低（dī）gate电压，就会出现输入（rù）电压比较高的（de）时候，MOS管工作良好（hǎo），而输入（rù）电（diàn）压降低的时候gate电压不足，引（yǐn）起导通不够彻底，从而增加功（gōng）耗（hào）。

3、双电压应用（yòng）在（zài）一些控制（zhì）电路中，逻辑（jí）部（bù）分使用典型的5V或者3.3V数字电压（yā），而功率部分（fèn）使用12V甚（shèn）至更高（gāo）的（de）电（diàn）压（yā）。两个电压采用共地（dì）方式连接。MOS管驱（qū）动电路。这就提（tí）出（chū）一个要求，需要使（shǐ）用（yòng）一个电路，让低压（yā）侧能（néng）够有效的控（kòng）制高（gāo）压侧的MOS管，同时高（gāo）压侧的（de）MOS管也同样（yàng）会面对（duì）1和2中（zhōng）提到的问题。